IRF7805ZGPbF
10000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
12
10
ID= 12A
VDS= 24V
VDS= 15V
C oss = C ds + C gd
1000
Ciss
Coss
Crss
8
6
4
2
100
1
10
100
0
0
10
20
30
40
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000.0
100.0
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
10.0
T J = 150°C
10
100μsec
1msec
1.0
0.1
T J = 25°C
VGS = 0V
1
0.1
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
10msec
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.0
10.0
100.0
4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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